Thông tin chi tiết sản phẩm:
Thanh toán:
|
| Một phần số: | LLDB3 LLDB4 LLDB6 | VBO: | 56-70V |
|---|---|---|---|
| IR: | 10uA | Gói: | SOD-80 |
| Phạm vi nhiệt độ hoạt động: | -40 ° c - + 125 ° c | Phạm vi nhiệt độ lưu trữ: | -40 ° c - + 125 ° c |
| Điểm nổi bật: | db3 diac diode,db3 diac trigger diode |
||
Diode kích hoạt hai mặt kín thủy tinh LLDB3 LLDB4 LLDB6 SOD-80
Đặc trưng
Các ứng dụng
Hoạt động như một diode kích hoạt với tham chiếu điện áp cố định, DB3 có thể được sử dụng kết hợp
với triacs cho các mạch điều khiển cổng đơn giản hóa hoặc là một yếu tố khởi đầu trong chấn lưu đèn huỳnh quang.
Xếp hạng tối đa tuyệt đối
| Dòng trạng thái cực đại lặp lại (tp = 20μs F = 120 Hz) | ITRM | 2 | Một |
| Phạm vi nhiệt độ ngã ba hoạt động | Tj | -40 ~ +125 | ℃ |
| Phạm vi nhiệt độ lưu trữ | Tstg | -40 ~ +125 | ℃ |
Đặc điểm điện từ
| Tham số | Biểu tượng | Điều kiện kiểm tra | Giá trị | Đơn vị | |
| Điện áp ngắt * | VBO | C = 22nF ** | PHÚT | 28 | V |
| TYP. | 32 | ||||
| Tối đa | 36 | ||||
| Đối xứng điện áp ngắt | | VBO1-VBO2 | | C = 22nF ** | Tối đa | ± 3 | V |
| Điện áp ngắt động * | V | VBO và VF ở 10mA | PHÚT | 5 | V |
| Điện áp đầu ra* | VO | xem sơ đồ 2 (R = 20Ω) | PHÚT | 5 | V |
| Hiện tại đột phá * | IBO | C = 22nF ** | Tối đa | 50 | μA |
| Thời gian tăng * | tr | xem sơ đồ 3 | Tối đa | 2 | s |
| Rò rỉ hiện tại * | IR | VR = tối đa 0,5VBO | Tối đa | 10 | μA |
Lợi ích của chúng ta:
1. Thiết bị tiên tiến, quy trình nghiêm ngặt và hệ thống quản lý chất lượng.
2. Một loạt các sản phẩm cho phép khách hàng có một lần mua sắm định mệnh.
3. Cung cấp giải pháp giảm chi phí hiệu quả cho khách hàng.
4. Giải pháp thời gian thực với thời gian giao hàng tối thiểu.
5. Chế độ kinh doanh linh hoạt để đáp ứng sự thuận tiện của khách hàng.
Người liên hệ: Patty Huang
Tel: +8618761557550
