Thông tin chi tiết sản phẩm:
Thanh toán:
|
| một phần số: | DB3 | VBO: | 28-36V |
|---|---|---|---|
| Trọn gói: | SMA / DO-214AC | Nhiệt độ ngã ba: | -40 ~ + 110 ° C |
| đóng gói: | băng trong cuộn | Vận chuyển bởi: | DHLUPSFedexEMSea |
| Điểm nổi bật: | db3 diac diode,db3 diac trigger diode |
||
Silicon hai chiều DIAC Kích hoạt Diode DB3 SMA với Gói gắn bề mặt
Đặc trưng
1. rò rỉ ngược thấp
2. Khả năng tăng cao về phía trước
3. Hàn nhiệt độ cao được đảm bảo: 250oC / 10 giây, chiều dài chì 0,375 "(9,5mm)
Dữ liệu cơ học
· Thiết bị đầu cuối: Dẫn hướng trục mạ
· Phân cực: Dải màu biểu thị đầu cực âm
· Vị trí lắp đặt: Bất kỳ
Xếp hạng tối đa tuyệt đối
| Biểu tượng | Tham số | Giá trị | Đơn vị | |
| DB3 | ||||
| Máy tính | Tản điện Mạch [L = 10 mm] | TA = 50oC | 150 | mW |
| ITRM | Đỉnh lặp đi lặp lại trên trạng thái Hiện hành | tp = 10us F = 100Hz | 2.0 | Một |
| TSTG / TJ | Lưu trữ và 0 perating Nhiệt độ ngã ba | -40 đến +125 / -40 đến 110 | ℃ | |
Đặc điểm điện từ
| Tham số | Biểu tượng | Điều kiện kiểm tra | Giá trị | Đơn vị | |
| Điện áp ngắt | VBO | PHÚT | 28 | V | |
| TYP. | 32 | ||||
| Tối đa | 36 | ||||
| Đối xứng điện áp ngắt | | VBO1-VBO2 | | C = 22nF ** | Tối đa | ± 3 | V |
| Điện áp ngắt động * | V | VBO và VF ở 10mA | PHÚT | 5 | V |
| Điện áp đầu ra* | V O | xem sơ đồ 2 (R = 20Ω) | PHÚT | 5 | V |
| Hiện tại đột phá * | IBO | C = 22nF ** | Tối đa | 100 | μA |
| Thời gian tăng * | tr | Tối đa | 1,5 | s | |
| Dòng điện rò rỉ * | IR | VR = tối đa 0,5VBO | Tối đa | 10 | μA |
Lưu ý: 1. Đặc điểm điện ảnh áp dụng theo cả hai chiều thuận và ngược.
2.Kết nối song song với các thiết bị.
Kích thước:
Bạn có thể làm gì từ XUYANG?
Dịch vụ tốt nhất: với 10 năm kinh nghiệm trong việc xuất khẩu nhân viên bán hàng sẽ phục vụ bạn.
Chất lượng cao: giúp bạn tránh rủi ro mua hàng.
Giao hàng ngắn: giúp bạn tiết kiệm thời gian.
Giá cả cạnh tranh: giá không phải là thấp nhất nhưng hiệu suất chi phí cao nhất
OEM / ODM: chúng tôi tự tin rằng chúng tôi có thể đáp ứng các yêu cầu OEM / ODm của bạn.
Người liên hệ: Bixia Wu
